金刚石热沉片，，高功率器件散热的行家！
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通常你看到的超大功率器件依然能有条不紊的进行工作，，你首先想到的是什么？？？？是零件之间高精度的衔接，，，，亦或是各个主次级系统明确的分工合作
，，还是工作任务的难易程度？？据统计，，，由热量集中引起的功率器件故障占总故障率的55%，，，，产品散热设计对产品的可靠性有着至关重要的影响。。。。半导体器件体积小、
、寿命长
，，，，除了通信领域
，，，，也可以在雷达
、、
、
、测声、、
、医疗中应用，，，，但研究发现，，散热影响半导体器件的寿命和使用情况。。。。除此之外，，，，CPU温度过高会造成电脑自动关机、、、、蓝屏、、、
、死机
、、
、电脑卡顿等情况
，，长期温度过高，，，影响其使用寿命。。无论是大功率器件，
，，还是电力电子元件，，，
，热管理都尤为重要。。
。。

金刚石的带隙宽、
、、热导率高、、、击穿场强高、
、载流子迁移率高、、、耐高温、
、、抗酸碱、
、抗腐蚀、
、抗辐照
，
，，优越的性能使其在高功率、、、高频、、高温领域等方面发挥重要作用
，
，其经典的应用场景包括金刚石热管理材料。。

金刚石具备的优势如下：

极高的热传导：热导率2200W/m.K，，室温下金刚石具有最高的热导率。。。

极高的介质击穿特性：击穿电场为107V/cm
，，，
，是GaAs的50倍，，，，GaN的2倍，，SiC的2.5倍。。
。

极高的功率容量：容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上；特别适合制作大功率电子器件。。
。。

低的介电常数：介电常数为5.7，，约为GaAs的1/2，，比InP的一半还小。。。

高饱和载流子速度：饱和载流子速度是GaAs、、、、Si或InP的12.7倍，，在电场强度增加时也维持高速率
。。

高载流子迁移率
：电子迁移率为4500c㎡/（V·s），，高于绝大多数材料，，，
，适合制作高频电子器件。。

图1   金刚石与其他散热材料的特性

金刚石热沉可有效解决散热问题，，，并可在相同尺寸下提升高功率器件的性能。
。。目前，，CVD 金刚石热沉片可通过以下三种方式广泛整合到散热解决方案中：

1.      独立单个金刚石单元通过金属化和焊接进行接合，，，，（例如采用Ti/Pt/Au溅射沉积金属和AuSn 共晶焊接）；

2.      预制晶片支撑多个器件，，使器件生产商能够大批量处理晶片（比如金属化和贴装）。。此类附加步骤完成后，
，这些晶片可作为单个子组件的基板。。。

3.      直接采用金刚石镀膜。。。

尊龙时凯采用最先进的 MPCVD装置，，，制备大面积高品质金刚石膜，
，采用研磨抛光专用设备
，，，，使CVD金刚石生长面表面粗糙度 Ra < 1 nm，，，，现有核心产品晶圆级金刚石、、金刚石热沉片、、
、、金刚石基氮化镓外延片
、
、、、金刚石基氮化铝薄膜等。
。。其中金刚石热沉片热导率1000-2000W/m.k。。。在这里，
，，，我们将会为您提供最优质的热管理服务。
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