尊龙时凯制备的高质量AlN on Sapphire（蓝宝石基氮化铝），，，XRD（0002）摇摆曲线半峰宽<0.05°,生长面表面粗糙度Ra<1.2nm（氮化铝厚度200nm），，，不仅实现了产品质量的有效管控
，，
，，大幅度提升产品品质，，，，确保产品稳定性，，
，，还大大降低了产品成本和生产周期。
。。经客户验证表明
，，，尊龙时凯的高品质AlN on Sapphire能够大幅提升UVC LED产品良率和稳定性，，，，助力产品性能提升。。

氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，
，，，具有很多优良的性质
，，，，如其禁带宽度高达6.2eV，，同时具有高击穿场强、、
、高饱和电子迁移率、
、
、、高化学和热稳定性
，，，，及高导热、、
、抗辐射等优异性能，，因此氮化铝是紫外／深紫外LED
、
、
、、紫外LD最佳衬底材料，，也是高功率、、高频电子器件理想衬底材料
。。。。此外，
，，氮化铝具有优良的压电性
、、、高的声表面波传播速度和较高的机电耦合系数，
，是GHz级声表面波器件的优选压电材料
。。
。。

氮化铝的优势

• 直接带隙
，
，，，禁带宽度6.2eV，
，是重要的深紫外和紫外发光材料

• 高击穿电场强度
、
、、、高热导率、、高绝缘性、
、、低介电常数
、、低热膨胀系数、、
、机械性能好
、
、耐腐蚀，，常用于高温高频高功率器件

• 非常好的压电性能（特别是沿C轴方向），，，是目前制备各种传感器、、、
、驱动器以及滤波器的最佳材料之一

• 与GaN晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数，，，是异质外延生长GaN基光电器件的优选衬底材料

氮化铝具备优异的物理性能：

• 原子间以共价键相结合，，化学稳定性好、
、
、
、熔点高；

• 机械强度高、、、、电绝缘性能佳，，是一种压电和介电材料；

• 晶体薄膜硬度高，，，可作为耐磨涂层；

• 高电阻率、、、、较低的漏电流以及大的击穿场强，，
，，使得其成为微电子器件中绝缘埋层材料的最佳选择之一；

• 制备工艺与CMOS兼容，，
，可以和其他器件集成到同一芯片上；

• 具备非铁电材料中最好的声波传播速度，，，，且拥有无与伦比的压电响应
，，可用于制作高性能的声表器件；

• 是一种宽禁带材料，，，并具有直接带隙，，，，是重要的蓝光和紫外发光材料
；

• 沿c轴取向具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能，，传声速度快，，，，是所有无机非铁性压电材料中最高的
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