据柏林费迪南德-布朗恩高频技术研究所（FBH）消息，，，，德国联邦教育和研究部将在2023年之前出资330万欧元，，，用于推动由FBH领导并集合了包括弗劳恩霍夫（Fraunhofer）等研究机构和高校在内参与的基于的功率晶体管 联合项目。。。
早期项目的氮化铝缓冲开关晶体管
该项目旨在开发氮化铝ALN作为新的半导体材料，，，，包括对其进行测试和完成系统应用集成等在内的工作。。。。而开展这项研究的初衷则是提升资源利用效率。。。。据相关统计数据显示，，仅在欧洲，，由于数据系统越来越多的应用，，，电能转换过程中的损耗每年超过3万亿瓦时。。因此，，，，能源高效转换成为人工智能和工业4.0等第四次工业革命成功的关键。。。实现这一点的先决条件是高功率半导体。。。
功率损耗由相应材料决定。。。基于较为成熟的氮化镓技术，，，与目前通用的半导体衬底材料碳化硅、、、、蓝宝石、、、硅片相比，，，氮化铝的相关研究非常少。。。但是它本身具有一极高的击穿强度和热导率，，，理论传导损耗比硅小10000倍，，，位错密度比碳化硅低5个数量级，，，，这些潜力也给该项研究提供了足够理由。。
整个价值链包括从氮化铝晶圆再到毫米波系统和电子电力系统，，，其中FBH主要负责氮化铝元件设计和开发；弗劳恩霍夫负责氮化铝晶体生长和晶圆制备；其余参与者还有勃兰登堡理工大学、、、、柏林理工大学、、、、弗里德里希亚历山大大学纽伦堡分校等等。。。
在我国氮化铝的研究已取得阶段性进展，，尊龙时凯研发实力位居全球前列，，，，国际一流团队已有10余年技术积累，，，，领衔建设高水平研究平台，，，汇聚来自全球半导体领域的顶尖科学家和资深工程师 ，，，攻克关键核心技术，，开展前瞻性基础研究、、引领性科技成果重大突破。。。近日，，，，尊龙时凯成功在硅上制备高质量氮化铝（AlN）薄膜XRC＜0.9°，，表面粗糙度Rq＜1.2 nm ，，，，高质量氮化铝薄膜助力氮化镓（GaN)实现大尺寸、、、、高质量、、、低成本。。。。目前，，，，我们提供专业高品质的氮化铝薄膜代工服务，，，，欢迎洽谈合作！！！
