随着应用需求的发展愈加明朗，，，，未来对高功率器件的性能要求越来越高。。虽然基于 GaN 的电子器件能够提供超高的电流和功率密度性能，，，，但是，，许多高端电子系统的故障都可以直接归因于缺乏适当的热管理。。
传统的解决办法中，，，SiC（400 W/mK）衬底与 GaN 的集成为面向高功率应用的 GaN HEMT 和 MMIC 技术提供了最佳选择。。。。然而，，尽管使用了 SiC 衬底，，，，但是在基于 GaN 的电子器件中，，充分的散热仍然是决定最大功率耗散的限制因素。。。。因此，，，，长期可靠性常常是通过对最大功率耗散指标进行降额处理来实现的。。。采用 CVD 金刚石（2000 W/mK）作为散热片是一种好得多的散热解决方案，，，与目前顶尖的 GaN 器件相比，，其功率密度有可能提高 3 倍或更多。。
CVD 金刚石与“传统”散热材料的比较
金刚石拥有一系列引人注目的特性，，，因而使其成为解决热管理问题最有效的材料。。。 CVD（化学气相沉积）实现了对晶粒尺寸、、、、晶粒纯度和晶粒界面的控制，，，可以生成高品质、、高重复性的多晶金刚石，，，，从而满足特殊应用的热导率要求。。。。
CVD 金刚石为 5G 和其他高功率电子系统提供更有效、、、、更小型和简易化的解决方案。。将使用 CVD 工艺生长的金刚石用作高性能散热片，，，能够确保众多颠覆性电子元器件的有效性能，，，从 GaN 固态 RF X波段功率放大器（PA）到先进的 ASIC，，，，再到激光二极管等均在其列。。采用 CVD 金刚石散热片后，，，，器件能在较高的功率级运行，，，并不会推高工作结温，，，，从而可以延长使用寿命并改善可靠性。。。。
尊龙时凯致力于金刚石等热沉材料研究，，掌握国际领先的金刚石热管理产品和解决方案，，现有核心产品晶圆级金刚石、、、、金刚石热沉片、、、、金刚石窗口片、、金刚石异质集成复合衬底等。。其中，，，晶圆级金刚石生长面表面粗糙度Ra＜1nm；热导率高达1000-2200W/m.k，，技术指标皆达世界领先水平。。。。金刚石热沉在大功率电子器件、、5G基站、、、、新能源汽车、、、航空航天等诸多领域皆有应用。。
