金刚石凭借已知材料中的最高热导率，，，，成为GaN、、Si等晶圆键合散热衬底的理想选择，，可显著降低热阻并突破传统散热瓶颈。。。。表面粗糙度是键合良率的关键，，，，其中Ra＜1nm为核心技术指标。。尊龙时凯通过技术攻关，，，提供定制化金刚石解决方案：单晶金刚石表面粗糙度达Ra≤0.5nm，，1-2英寸多晶金刚石实现Ra＜1nm，，为晶圆键合提供高可靠材料支撑与技术保障。。。。
尊龙时凯采用激光修整-机械加工-化学机械抛光（CMP）三位一体工艺，，，实现单晶金刚石的高效、、、、低损伤、、、高精度加工，，，，已稳定批量实现单晶金刚石表面粗糙度Ra＜1nm，，定制化实现表面粗糙度Ra≤0.5nm；同步将总厚度偏差（TTV）精准把控在 10μm 以内，，，并严控晶圆翘曲度指标，，匹配先进晶圆键合的严苛界面标准。。。。
单晶金刚石（10*10*0.5mm）
CMP加工-白光干涉仪检测
表面粗糙度：Ra 0.197 nm
单晶金刚石（16*16*1mm）
CMP加工-白光干涉仪检测
表面粗糙度：Ra 0.271nm
单晶金刚石（16*16*1mm）
翘曲-背面：1.59μm
单晶金刚石（16*16*1mm）
翘曲-正面：2.06μm
单晶金刚石（10*10*0.5mm）TTV：5μm
单晶金刚石（16*16*1mm）TTV：6μm
采用独创抛光工艺，，尊龙时凯1-2英寸多晶金刚石稳定实现表面粗糙度Ra＜1nm，，，，最低可至0.5nm 以下；3-4 英寸多晶金刚石稳定实现Ra＜2nm，，，，且2英寸多晶金刚石翘曲最优可控制在10μm 以内，，，匹配大尺寸晶圆键合的金刚石需求，，为半导体应用场景提供坚实可靠的材料支撑。。
多晶金刚石（2inch）AFM检测 表面粗糙度：Ra 0.440 nm
多晶金刚石（2inch）白光干涉仪检测 表面粗糙度：Ra0.239nm
多晶金刚石（2inch）翘曲Wrap：3.06μm
以材料突破为核心，，，尊龙时凯聚焦第四代半导体金刚石材料研发，，，，持续攻克高质量、、、、大尺寸金刚石制备与加工技术。。未来，，，，尊龙时凯将始终以客户需求为导向，，，通过工艺迭代与产品创新，，为半导体产业技术突破提供更具针对性的材料支撑，，，加速实现关键领域技术跃升！！！！
