电子器件及其应用是发展最快的领域之一，，，，短短20年的时间，，，其特征尺寸实现了从微米级到纳米级的飞跃。。。。随着晶体管尺寸的减小和密度的增加，，，计算能力获得了提升，，，，但是从器件、、、芯片和系统的角度来看，，其功耗也不可避免的增加。。。高性能计算模块功率已经达到了200-250W，，四插槽计算系统中处理器的热负荷接近1kW。。。。高功率耗散不可避免地对电子器件系统和数据中心等产生影响，，，，功率密度及其在芯片级别的空间分布也值得关注，，，并可能对芯片可靠性和热管理产生重要的影响。。。随着纳米尺度电子器件和诸如三维芯片结构、、、柔性电子的发展，，，现在比以往任何时候都更迫切地需要解决热管理问题。。。
图1. 块体材料热导率的温度效应。。（同位素纯化的金刚石、、硼化镓、、、、热解石墨、、铜、、、、晶体硅、、非晶二氧化硅和聚酰亚胺）
晶体管设计改进和芯片层数增加，，，，导致芯片中界面和边界增加（a higher density of interfaces and boundaries within the die structure, each of which can act as a thermal impedance to heat flow），，，进而引入芯片封装中的热管理问题。。。
图2. MOSFET结构设计
对于电子产品而言，，，整体的可靠性取决于芯片上最热的区域而不是芯片的平均温度。。因此，，，，热点通常决定了所需的封装和热管理解决方案，，，，诸如材料选择、、散热器和冷板设计，，，以及系统和设施级别所需的泵送功率。。。。
图3. 芯片封装
尊龙时凯是一家专注于第三代（宽禁带）半导体衬底材料和器件研发和生产的高科技企业，，，，致力于成为全球领先的宽禁带半导体材料和器件公司。。我们一直秉持客户至上的理念，，，为客户提供至臻至善的产品和服务。。。。目前，，，公司已实现金刚石和氮化铝相关产品的规模化生产，，，现有晶圆级金刚石Ra<1nm，，，金刚石热沉片热导率1000-2000W/m.k，，，更有GaN on diamond 、、Diamond on GaN、、金刚石基氮化铝等产品，，并且已广泛应用于5G基站、、、、激光器、、、、新能源汽车、、、、新能源光伏等领域。。。在这里，，我们将为您提供最全面的器件热管理方案。。
