随着功率芯片（如IGBT，，MOSFET）电流及电压的加大，，芯片开关产生的大量热流必须以散热片的高热扩散率均温及以流体（空气或液体）带走。。。另一方面，，高速运算的芯片（如CPU,GPU）其热流也需先以散热片的热扩散率（声子）及时消除热点，，，然后以热沉片带走热流来勉强降低芯片温度。。。。
由于金属（如铜，，，铝）的热传导率虽高，，，但因芯片的热膨胀率远低于金属，，，，两者中间必须以软质材料（如铟合金，，，，散热膏）降低应力以提高可靠度，，，这些TlM（Thermal Interface Material）的热传导率很低，，，但热容量却很大，，，因此会阻挡芯片热流外传，，，，因此热点不能消除。。。
用低热膨胀速率的陶瓷材料（如六方氮化硼hBN）上面覆铜避免使用造成热阻的TⅠM，，但这类材料乃热压成型，，内含気孔，，，，不仅挡住了热量的传导，，也使热沉强度大减，，，，甚至容易掉粉。。
高功率元件可银焊在六方氮化硼压块的覆铜上，，如下图所示。。。这种设计虽可加降低芯片温度，，，但却同时降低了封装的可靠度，，并非最佳设计。。。。
现在介绍金刚石热沉片的技术，，，，首先金刚石的热传导率高于包括银，，铜等的任何金属，，，，所以热量就会迅速自芯片引出而降低芯片温度。。。其次金刚石不导电却可以声子（晶格振动）散热，，，所以是材料界热扩散率最高的。。。。金刚石热沉片不能容忍温度梯度，，，，会即时均温（消除温度差异）。。。。换言之，，芯片焊在金刚石热沉片后其内的热点难以存在。。芯片的性能其实不是由平均温度决定的，，，，而是由最高温处的极小热点所限制。。。
热点面积可以只有数十个原子，，，，但其振动频率代表的温度却数倍于平均温度。。。所以金刚石热沉片可提高芯片的功率或速度，，即使平均温度昇高也不损及芯片的性能。。例如以金刚石消除热点，，CPU的频率可以大幅提高，，，，超频计算可容许芯片的平均温度提高而维持其可靠度。。。。功率芯片若焊在大而厚的金刚石覆铜散热，，，，功率可能加倍。。
金刚石热沉可以化学镀后电镀加厚，，或以活性合金（AMB）纤焊，，，前者附着力低而且比纸薄。。更有甚者，，电镀铜并不结晶，，，，所以其电阻较大，，，发热量也高。。。钎焊覆铜附着极牢，，加上钎焊的高温会使铜箔的晶粒快速长大。。。。金刚石热沉片的导电率高于一般铜箔，，所以电流通过时的发热量很小，，可以降低芯片的平均温度。。。。
金刚石终极功率半导体材料的禁带宽度5.47eV，，具有优异的力学、、、、电学、、热学、、、、声学和光学特性，，，，是最具有应用前景的宽禁带半导体材料之一。。尊龙时凯凭借卓越的创新能力和雄厚的技术实力，，已成为国内宽禁带半导体领域领军企业。。。。
