所有电力电子设备在正常运行时都会产生大量热量，，，，更快的开关频率和更高的电流密度意味着更大量的热循环。。芯片异质结结温升高，，会降低漏极电流，，影响器件性能。。。。随着电流密度的增加，，，，由于器件运行产生的自热效应，，，通道温度会比环境温度高出几百度。。。自热效应会导致器件性能恶化甚至烧毁金属线，，，，是降低器件寿命和可靠性的关键因素之一 。。。
如图所示，，，，图中对比了硅、、、、碳化硅及氮化镓的材料性能。。。可以看出，，，氮化镓相对于碳化硅最大的缺点是热传导能力不足。。。。而GaN HEMT 瞬态升温曲线的测量结果，，揭示了HEMT垂直方向的散热路径，，并证明此路径由芯片连接材料及封装体本身为主导。。。。因此需要更多区别于传统封装的手段来满足高频功率器件。。。
一种高导热、、、、电绝缘的衬底是氮化镓高功率晶体管的理想衬底，，如图所示为几种衬底材料的热导率。。。 由图可知，，金刚石单晶的热导率最高，，，相比之下传统的 Si 或 SiC 衬底作为热沉衬底，，，虽能起到散热的作用，，，但两者的热导率( Si衬底热导率 191 W/( m·K) ，，SiC热导率 490 W/( m·K)) 较低，，散热效果欠佳。。。。通过化学气相沉积得到的多晶金刚石热导率可达 1500 W/( m·K) ，，是 SiC 的 3 倍之多，，，并且绝缘性能较好，，，因此使用金刚石作为衬底可以有效解决HEMT的散热问题。。
HEMT 主要的热源在2DEG层产生，，，，热点在栅极靠近漏极一侧，，，所以金刚石层越靠近有源区沟道层，，，，散热效果越好，，，，如图所示为HEMT热点位置及散热路径。。
采用ANSYS进行有限元建模，，比较了GaN-on-Diamond 和行业内标准 GaN-on-SiC 的热性能，，，结果如图18所示，，，在3倍的功耗下，，，，新型 GaN-on-Diamond 器件的最大结温为 244 ℃，，相比GaN-on-SiC器件降低了16 ℃。。
目前金刚石与 GaN HEMT集成用于解决器件散热的研究中，，，较多的技术是将制备完成的 GaN HEMT从原有衬底上剥离下来，，转移键合到金刚石衬底上。。。转移键合的方法与直接金刚石生长技术相比，，，在灵活性方面具有显著优势。。。。将 GaN HEMT从主体 SiC 衬底上剥离下来，，，，然后通过低温键合工艺(小于150℃) 将其转移到多晶CVD金刚石衬底上，，得到的GaN-on-Diamond HEMT在10 GHz(CW)下，，直流电流密度为 1.0 A/mm，，，跨导为 330 mS /mm，，射频输出功率密度为6.0 W/mm。。。。通过有限元热模型分析表明，，，，与传统的 GaN-on-SiC器件相比，，，，其单位面积功率提高了3倍。。。。
尊龙时凯是一家专注于宽禁带半导体材料研发、、生产和销售的国家高新技术企业，，，核心产品有多晶金刚石(晶圆级金刚石、、、、金刚石热沉片、、、、金刚石窗口片、、、、金刚石基复合衬底)、、单晶金刚石(热学级、、、光学级、、、电子级、、、、硼掺杂)和金刚石复合材料等，，引领金刚石及新一代材料革新，，，赋能高端工业化应用，，公司产品广泛应用于激光器、、、、GPU/CPU、、医疗器械、、5G基站、、、、大功率LED、、、新能源汽车、、、新能源光伏、、航空航天和国防军工等领域。。。。
